Crescimento e caracterizaçÃo de filmes espessos de cdTe sobre silício para a fabricaçÃo de detectores de raios-x



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UFV / VIII SIMPOS / OUTUBRO DE 2008 / FÍSICA



CRESCIMENTO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES ESPESSOS DE CdTe SOBRE SILÍCIO PARA A FABRICAÇÃO DE DETECTORES DE RAIOS-X

JOSÉ ANTÔNIO DUARTE SANTOS (Bolsista CAPES/UFV), SUKARNO OLAVO FERREIRA (Orientador/UFV)



O semicondutor CdTe e ligas ternárias CdZnTe ganharam popularidade nos últimos anos como ideais para a fabricação de detetores de raios-x e raios gama à temperatura ambiente. Atualmente estes detetores são fabricados utilizando cristais tipo "bulk", crescidos a partir da fase líquida, que produzem materiais com as características adequadas. Entretanto, estes cristais apresentam sérias limitações quando se deseja arranjos de detetores com grandes áreas. Neste caso, as atenções têm se voltado para a utilização de camadas epitaxias crescidas sobre substratos como o Si e GaAs, apesar da menor qualidade cristalina das camadas obtidas, devido à grande diferença entre os parâmetros de rede entre o substrato e o CdTe. Neste trabalho vamos apresentar os resultados do crescimento e caracterização de camadas epitaxiais espessas de CdTe crescidas sobre silício(111). Os filmes de CdTe são crescidos por epitaxia de paredes quentes (HWE) em temperaturas entre 150 e 300ºC. As camadas obtidas são caracterizadas utilizando as técnicas de difração de raios-x, microscopia de força atômica e efeito Hall. Os resultados mostram que as camadas obtidas crescem epitaxialmente seguindo a orientação [111] do substrato, mas apresentando rotação de até 30º no plano de crescimento e apresentam alta resistividade elétrica. Serão apresentados também resultados preliminares da caracterização elétrica de estruturas tipo diodo de barreira schottky planar fabricadas por fotolitografia para a futura utilização como detetores de raios-x.







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